Infineon IPB60R099CPAATMA1
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701,943
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
31 A
31 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
105 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
255 W
255 W
Input Capacitance
2.8 nF
-
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB60R099CPAATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 600 V 0.105 Ohm CoolMOS® Power Transistor-PG-TO263-3-2
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
COOLMOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):99mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:255W; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:31A; Package / Case:TO-263; Power Dissipation Pd:255W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Summary of Features: Worldwide best R ds,on in TO220; Ultra low gate charge; Extreme dv/dt rated; High peak current capability; Automotive AEC Q101 qualified; Green package (RoHS compliant); CoolMOS CPA is specially designed for:; DC/DC converters for Automotive Application
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation255 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance105 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation255 W
Rds On Max105 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height4.7 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen