Infineon IPB60R099CPATMA1
$ 3.512
NRND
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPB60R099CPATMA1 | 1.359 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPB60R099CPATMA1 | 1.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP7774 | 1.000 | 1K | 6h | ||||||||
| DigiKey | IPB60R099CPATMA1CT-ND | 2.519 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IPB60R099CPATMA1 | 103 | 1 |
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Price @ 1000
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$ 3.87
Stock
752,218
296,381
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
31 A
31 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
105 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
255 W
255 W
Input Capacitance
-
2.8 nF
Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-16
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB60R099CPATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
255KW 20V 60nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 2.8nF@ 100V D2PAK , 10mm*925cm*4.5mm
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
MOSFET, N, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):99mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:255W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:31A; Package / Case:TO-263; Power Dissipation Pd:255W; Pulse Current Idm:93A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Current Rating50 A
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation255 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance99 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation255 W
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen