Vishay SIHB28N60EF-GE3
$ 3.23
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SIHB28N60EF-GE3-ND | 1.081 | 1 | Tube | ||||||||
| TTI | SIHB28N60EF-GE3 | 1.000 | 50 | Tube | 1h | |||||||
| TME | SIHB28N60EF-GE3 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Future Electronics | SIHB28N60EF-GE3 | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| Avnet | SIHB28N60EF-GE3 | 0 | 1K | 2d |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-11-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIHB33N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
VishaySIHB33N60EF-GE3
600V 33A 98m´Î@10V16.5A 278W 4V@250Ã×A N Channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS
STMicroelectronicsSTB40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
VishaySIHB23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
STMicroelectronicsSTB42N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIHB28N60EF-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK / N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Vishay NMOS EF Series, Vds=600 V, 28 A, D2PAK (TO-263), , 3
600V, 28A, 0.123 OHM, D2PAK EF SERIES
MOSFET 600V 28A w/Fast Diode D2PAK
RS APAC
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.946308 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Resistance123 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.714 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max123 mΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
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