STMicroelectronics STB42N60M2-EP
$ 2.692
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB42N60M2-EP | 904 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STB42N60M2-EP | 1.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB42N60M2-EP | 880 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-15896-1-ND | 258 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STB42N60M2-EP | 0 | 1K | 9h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK / N-Channel 500 V 35A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
STMicroelectronicsSTB35N60DM2
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB40N60M2
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
onsemiFCB070N65S3
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 70 mΩ, D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB42N60M2-EP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package
250W(Tc) 25V 4.75V@ 250¦ÌA 55nC@ 10 V 1N 600V 87m¦¸@ 17A,10V 34A 2.37nF@100V D2PAK,TO-263
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:34A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Resistance87 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max87 mΩ
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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