Infineon IPB083N10N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Farnell
3
IPB083N10N3GATMA101Cut Tape
9h
Component Stockers USAIPB083N10N3GATMA16.800
>1wk
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IPB083N10N3G2.6651Tape & Reel
14h
Win Source
2
WS-IPB083N10N3G25.00055
14h
Worldway Electronics
3
IPB083N10N3 G18.9077
14h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 12 Jahren

Factory Futures

Burklin Elektronik

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Verwandte Teile

InfineonIPB052N04N G
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Details
InfineonIPB054N08N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Details
InfineonIPB049NE7N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Details
onsemiFDB8445
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 9mΩ
Details
onsemiFQB34P10TM
TRANSISTOR, P-CHANNEL, QFET MOSFET, -100V, -33.5A, 60 MOHM, 175C MAX, D2PAK
Details
onsemiFQB55N10
3.75W 25V 4V 75nC@ 10V 100V 26m¦¸@ 10V 2.1nF@ 25V TO-263
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPB083N10N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0072oh; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell

Bilder

Augswan
TME
Farnell
TME
Burklin Elektronik
RS
Future Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPB083N10N3 G
  • IPB083N10N3-G
  • IPB083N10N3G
  • IPB083N10N3GXT
  • SP000458812