Infineon IPB054N08N3GATMA1
$ 0.905
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +22.98%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB054N08N3GATMA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IPB054N08N3GATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-01-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB054N08N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):4.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; Current Id Max:80A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +22.98%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance5.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.57 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5.4 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rise Time66 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.8 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB054N08N3GATMA1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen