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Price @ 1000
$ 1.38
$ 1.07
Stock
34,689
178,145
Authorized Distributors
3
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
55 A
55 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
-
26 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
25 V
Power Dissipation
155 W
3.75 W
Input Capacitance
-
2.73 nF
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VISHAY SUM70040E-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V
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InfineonIPB083N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB55N10, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
3.75W 25V 4V 75nC@ 10V 100V 26m¦¸@ 10V 2.1nF@ 25V TO-263
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:55A; Resistance, Rds On:0.026ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination ;RoHS Compliant: No
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 55A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 155W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Current Id Max: 55A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Power Dissipation on 1" Sq. PCB: 3.75W; Pulse Current Idm: 220A; SMD Marking: FQB55N10; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds: 100V; Voltage Vds Typ: 100V; Voltage Vgs Max: 25V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Max: 4V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation155 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation155 W
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Datenblätter und Dokumente
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