Infineon IPB049NE7N3GATMA1
$ 1.36
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IPB049NE7N3GATMA1 | 9.921 | 18h | |||||||||
| DigiKey | IPB049NE7N3GATMA1CT-ND | 349 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Farnell | IPB049NE7N3GATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | 4h | |||||||
| Mouser | 726-IPB049NE7N3G | 129 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | IPB049NE7N3GATMA1 | 341 | 600 | 1d |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-05-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
Verwandte Teile
InfineonIPB034N06L3GATMA1
167W 20V 2.2V 59nC@ 4.5V 1N 60V 3.4m¦¸@ 10V 90A 10nF@ 30V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB049NE7N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.1V; P
The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest on-state resistances and superior switching performance.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.57 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen