Infineon IPB057N06NATMA1
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPB081N06L3GATMA1
In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1
VishaySUM55P06-19L-E3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonSPB18P06PGATMA1
MOSFET, P-CH, 60V, 18.7A, TO-263; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drai
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB057N06NATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 45 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
MOSFET, N-CH, 60V, 45A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Source Voltage Vds:60V; On Resistance
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
OptiMOS™ 5 60V is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2 nF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5.7 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation83 W
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen