onsemi FQB27P06TM

Name: onsemi FQB27P06TM
Brand: onsemi
SKU: FQB27P06TM

P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK

$ 0.93

Production

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	FQB27P06TM	287	685					0,973	0,928	6d
Newark	2	FQB27P06TM	26	1	Cut Tape	3,130	2,150	1,960	1,960	1,960
Verical		FQB27P06TM	2.400	800					0,899	0,850
Arrow Electronics		FQB27P06TM	800	800					0,894	0,894
Rochester Electronics		FQB27P06TM	256					1,120	0,930	0,829	2d

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Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 6 Jahren

IHS

Fairchild Semiconductor

onsemi

Farnell

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-10-19

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQB27P06TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK

onsemi

P-Channel 60 V 70 mOhm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3

Future Electronics

ON SEMICONDUCTOR - FQB27P06TM - MOSFET Transistor, P Channel, 27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V

Jak Electronics

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, P; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):55mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:120W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-27A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:120W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

element14 APAC

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FQB27P06TM...

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)27 A

Current Rating-27 A

Drain to Source Breakdown Voltage-60 V

Drain to Source Resistance70 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V

Dual Supply Voltage60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time90 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance1.4 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation120 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation3.75 W

Rds On Max70 mΩ

Resistance70 MΩ

Rise Time185 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage-4 V

Turn-Off Delay Time30 ns

Turn-On Delay Time18 ns

Voltage Rating (DC)-60 V

Dimensions

Height5.08 mm

Length10.67 mm

Width9.65 mm