Rochester Electronics IPB093N04LG
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2013-02-28
LTD Date2013-08-31
Verwandte Teile
InfineonIPB080N03LGATMA1
N-Ch MOSFET 30V 50A 8mΩ@30A,10V 1.9nF@15V TO-263 SMD 47W(Tc) 20V 2.2V@250µA 18nC@10V
InfineonSPB18P06PGATMA1
MOSFET, P-CH, 60V, 18.7A, TO-263; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drai
STMicroelectronicsSTB11N52K3
N-channel 525 V, 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Rochester Electronics IPB093N04LG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
46 A 40 V 0.0093 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
Compliant Surface Mount, Through Hole 3.2 ns 2.8 ns No SVHC 23 mΩ TO-263 3
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 40V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
47W 20V 21nC 1individualNChannel 40V 9.3mΩ@ 10V 50A 1.6nF@ 20V TO-263 SMD mount，glue mount 10mm*9.25mm*4.4mm
MOSFET, N CH, 50A, 40V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:47W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:47W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Rochester Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Rochester Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Rochester Electronics LLC
- ROCHESTER
- ROCHESTER ELECTRONICS INC
- ROCHESTER ELECTRONIC
- Rochester Electron
- ROCHESTER(REI)
- ROCHESTER INSTRUMENT
- REI
- NFROCHESTER
- ROCHESTER ELECT INC
- Rochester(Intersil)
- Rochester Elec
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance9.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation47 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation47 W
Rds On Max23 mΩ
Rise Time2.8 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time4.7 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen