Infineon IPB081N06L3GATMA1

In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1
$ 0.614
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPB081N06L3GATMA1 herunter.

IHS

Datasheet11 SeitenVor 13 Jahren

TME

element14 APAC

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+24.68%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPB081N06L3GATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMalaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Verwandte Teile

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 45 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
MOSFET, P-CH, 60V, 18.7A, TO-263; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drai
Rochester ElectronicsIPB093N04LG
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
N-Channel 60 V 7 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet D2PAK-3
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPB081N06L3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Power Dissipation Pd:79W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:79W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPB081N06L3 G
  • IPB081N06L3G
  • IPB081N06L3GXT
  • SP000398076