Infineon IKB15N60TATMA1
$ 1.017
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IKB15N60TATMA1 | 1.285 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IKB15N60TATMA1 | 995 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 448-IKB15N60TATMA1CT-ND | 1.640 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IKB15N60TATMA1 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | IKB15N60TATMA1 | 0 | 1K | 2d |
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
InfineonIRG4BC30FD-SPBF
Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKB15N60TATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IKB15N60T Series 600 V 30 A Surface Mount TrenchStop® IGBT - PG-TO-263-3
IGBT, 26 A, 1.5 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
IGBT+ DIODE,600V,15A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:130W
Hard-switching 600 V, 15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Forward Voltage1.65 V
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation130 W
Reverse Recovery Time34 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen