onsemi SGW23N60UFDTM
$ 0.99
Obsolete
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Verwandte Teile
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
InfineonIRGS14C40LPBF
IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps | IGBT 430V 20A 125W D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SGW23N60UFDTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE IGBT Transistor 2.6V @ 15V 12A 23A 100W 60ns
IGBT 600V 23A TO-263
MISCELLANEOUS MOSFETS;
IGBTs 600V/ 12A
N-CHANNEL IGBT
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating12 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time220 ns
Max Collector Current23 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation100 W
Reverse Recovery Time42 ns
Voltage Rating (DC)600 V
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