Infineon IGB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 0.791
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Datasheet12 SeitenVor 10 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Verwandte Teile

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Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IGB15N60TATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Infineon IGB15N60TATMA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3
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130W 1.5V 600V 30A TO-263 , 10.31mm*9.45mm*4.57mm
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Hard-switching 600 V, 15 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IGB15N60T
  • SP000054921