Infineon IRG4BC30FD-SPBF

Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS
$ 6.32
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRG4BC30FD-SPBF01KBulk
14h
FarnellIRG4BC30FD-SPBF01
8h
Microchip USAIRG4BC30FD-S154600Tube
15h
Win Source
2
WS-IRG4BC30FD-S24.00045
23h
Worldway Electronics
2
IRG4BC30FD-S18.3917Tube
22h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRG4BC30FD-SPBF herunter.

IHS

Datasheet11 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 16 Jahren

Newark

DigiKey

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRG4BC30FD-SPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31

Verwandte Teile

onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Details
InfineonIRG4BC30KD-SPBF
IRG4BC30KD-SPBF Series 600 V 16 A N-Channel Ultra Fast IGBT - D2PAK-3
Details
InfineonAUIRG4BC30S-S
600V Automotive DC-1 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Details
InfineonAUIRG4BC30SSTRL
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Details
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Details
onsemiHGT1S7N60A4DS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin (2+Tab) TO-263AB Rail
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRG4BC30FD-SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS
Infineon SCT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Avnet
Target Applications: Air Conditioner; Dryer; Pump; Solar; UPS; Washing Machine
Infineon
IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:31A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:17A; Fall Time Max:230ns; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:120A; Rise Time:27ns; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
element14 APAC

Bilder

Infineon
Farnell
Augswan
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Farnell
Newark
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRG4BC30FDSPBF
  • IRG4BC30FD-S
  • IRG4BC30FDS
  • IRG4BC30FDSPBF
  • SP001549322