onsemi FGB20N6S2D
Obsolete
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Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FGB20N6S2D, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Tube Surface Mount N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE IGBT Transistor 2.7V @ 15V 7A 28A 125W 31ns
TO-263AB, COMP, N-CH, 600V SMPS II IGBT W/STEALTH DIODE
IGBT 600V 28A 125W TO263AB
IGBTs Comp, N-Ch, 600V
N-CHANNEL IGBT
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating28 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time105 ns
Max Collector Current28 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Reverse Recovery Time31 ns
Rise Time4.5 ns
Voltage Rating (DC)600 V
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