Infineon BSC010NE2LSIATMA1
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Stock
2,628,626
1,700,566
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
40 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
96 W
2.5 W
Input Capacitance
4.2 nF
4.7 nF
Lieferkette
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-14
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
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25 V N-CHANNEL POWER METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH LOW
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC010NE2LSIATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
N-Ch MOSFET 20V 25V 1.05mΩ@10V 100A 59nC 4.2nF@12V TDSON(EP) Bracket Mount, SMD 5.15mm × 590cm × 1mm
MOSFETs; BSC010NE2LSI; INFINEON TECHNOLOGIES; 25 V; 38 A; 20 V; 96 W
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Resistance1.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.2 nF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance1.05 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation96 W
Rise Time6.2 ns
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen