Infineon BSC010NE2LSIATMA1

2.5KW 20V 2V 59NC 1N 25V 1.05M¦¸@ 10V 100A 4.2NF@ 12V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM
$ 0.788
NRND
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
BSC010NE2LSIATMA120.0005K
23h
Newark
2
BSC010NE2LSIATMA16.6361Cut Tape
Rochester ElectronicsBSC010NE2LSIATMA17.182
20h
DigiKey
3
BSC010NE2LSIATMA1CT-ND9.1711Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSC010NE2LSIATMA1381

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Newark

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Alternative Teile

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Alternative Teile
InfineonBSC010NE2LSIATMA1
InfineonBSC010NE2LSATMA1
Price @ 1000
$ 0.788
$ 0.75
Stock
2,832,190
1,917,219
Authorized Distributors
6
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
40 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
96 W
2.5 W
Input Capacitance
4.2 nF
4.7 nF

Lieferkette

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-14
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

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Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC010NE2LSIATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

2.5KW 20V 2V 59nC 1N 25V 1.05m¦¸@ 10V 100A 4.2nF@ 12V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Unikeyic (ICkey)
Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
MOSFETs; BSC010NE2LSI; INFINEON TECHNOLOGIES; 25 V; 38 A; 20 V; 96 W
Maritex
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC010NE2LSIATMA1.
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Bilder

TME
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TME
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC010NE2LSI
  • BSC010NE2LSIATMA1.
  • BSC010NE2LSIATMA1.......
  • BSC010NE2LSIXT
  • SP000854376