Infineon BSC009NE2LSATMA1
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-10-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
onsemiNTD4865NT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 44A Tc 44A 1.92W 19ns
InfineonBSC050NE2LSATMA1
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 58 A, 0.0042 ohm, TDSON, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC009NE2LSATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.5W 20V 2.2V 72nC@ 4.5V,126nC@ 10V 1N 25V 900¦Ì¦¸@ 10V 5.8nF@ 12V , 5.15mm*5.9mm*1mm
With the new OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and Energy Efficiency for discrete power MOSFETs. Lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of battery management, or-ing, e-fuse and Hot-swap application. Super-SO8 package has a standard footprint that allows thinner and smaller application solutions compared to the IPB009N03LS.
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.2V; Power Dissipation:2.5W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC009NE2LSATMA1.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.8 nF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance900 µΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen