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Infineon BSC014NE2LSIATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
$ 0.646
EOL
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
3
BSC014NE2LSIATMA1
1.494
5
Cut Tape
USD
1,250
0,946
0,670
0,670
Rochester Electronics
BSC014NE2LSIATMA1
8.128
USD
0,712
0,591
0,527
6h
Arrow Electronics
BSC014NE2LSIATMA1
19.730
1
USD
1,787
1,175
0,691
0,691
0,691
DigiKey
3
BSC014NE2LSIATMA1CT-ND
6.147
1
Cut Tape
USD
2,000
1,274
0,861
0,646
0,646
Future Electronics
2
BSC014NE2LSIATMA1
0
5K
Tape & Reel
USD
1,750

Datenblätter und Dokumente

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element14 APAC

Datasheet10 SeitenVor 13 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Verwandte Teile

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Power MOSFET, N Channel, 25 V, 58 A, 0.0042 ohm, TDSON, Surface Mount
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Details
onsemiFDMS7558S
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 8-Pin Power 56 T/R
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC014NE2LSIATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 25V 33A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
2.5W 20V 39nC 1N 25V 1.4m¦¸@ 10V 2.7nF@ 12V , 5.15mm*5.9mm*1mm
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 25V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
BSC014NE2LSI Infineon Technologies
YIC International
BSC014NE2 - 12V-300V N-CHANNEL P
DigiKey Marketplace
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Po
element14 APAC

Bilder

Augswan
TME
Newark
LZChips
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC014NE2LSI
  • BSC014NE2LSIXT
  • SP000911336