Infineon BSC010NE2LSATMA1
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Price @ 1000
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Stock
1,934,738
2,861,847
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
40 A
38 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
96 W
Input Capacitance
4.7 nF
4.2 nF
Lieferkette
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFR3806PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 12.6 Milliohms;ID 43A;D-Pak;PD 71W;VGS +/-20
STMicroelectronicsSTD40NF03LT4
N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC010NE2LSATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, 25V, 39A, 1.0 MOHM, 242A, 33 NC, TSDSON8
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 25V 39A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Single N-Channel 25 V 96 W 85 nC OptiMOS Surface Mount Mosfet - TDSON-8
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:96W; No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time6.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen