Infineon AUIRFU3607
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.726
Stock
30,887
453,424
Authorized Distributors
0
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-251-3
TO-251
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
56 A
80 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
3.07 nF
3.07 nF
Verwandte Teile
InfineonIRFU2405PBF
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFU3607, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TUBE / Automotive MOSFET 75V, 80A, 9 mOhm, 56 nC Qg, IPAK
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.07 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height9.78 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen