Infineon IRFU1018EPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-10-12
LTD Date2018-04-12
Verwandte Teile
InfineonIRFU2405PBF
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFU1018EPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, N Ch., 60V, 77A, 8.4 MOHM, 51 NC QG, I-PAK, Pb-Free
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:I-PAK; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:56A; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:110W; Pulse Current Idm:315A; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:55ns; Turn On Time:13ns; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance8.4 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation110 W
Rds On Max8.4 mΩ
Recovery Time39 ns
Resistance8.4 MΩ
Rise Time35 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height6.22 mm
Length6.7056 mm
Width2.3876 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen