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Verwandte Teile
onsemiHUF75321D3
20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
InfineonIRFU024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;I-Pak (TO-251AA);PD 45W
InfineonIRFU5505PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;I-Pak (TO-251AA);PD 57W
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA75329D3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFETs 55V N-Ch PowerMOSFET UltraFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation128 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation128 W
Rds On Max26 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)55 V
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