Infineon AUIRFR2405
$ 4.1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRFR2405 | 0 | 5 | Bulk | 22h | |||||||
| Farnell | AUIRFR2405 | 0 | 1 | 8h | ||||||||
| Microchip USA | AUIRFR2405 | 336 | 300 | Bulk | 2h | |||||||
| Win Source | WS-AUIRFR2405 | 20 | 150 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | AUIRFR2405 | 17.619 | 7 | Tube | 4h |
Datenblätter und Dokumente
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 4.1
$ 0.675
Stock
63,275
1,260,671
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
30 A
30 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
16 mΩ
16 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
2.43 nF
2.43 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-01-31
LTD Date2021-07-31
Verwandte Teile
InfineonIRFR5305PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonIRFR5305TRPBF
Transistor MOSFET P Channel 55 Volt 31 Amp 3-Pin 2+ Tab Dpak Tape and Reel
InfineonIRFR5305TRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
VishaySQD30N05-20L_GE3
VISHAY SQD30N05-20L -GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 55 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFR2405, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 55V, 30A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0118ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance1.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time78 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.43 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time130 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen