Infineon IRFR5305PBF

Name: Infineon IRFR5305PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR5305PBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -55V; Rds(on) 0.065 Ohm; Id -31A; D-pak (TO-252AA); Pd 110W

$ 0.194

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	IRFR5305PBF	1	1		0,194	0,194	0,194	0,194	0,194
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR5305PBF	0	1125	Bulk					1,700	12h
Farnell	IRFR5305PBF	0	5			1,000*	0,543*	0,457*	0,448*	6h
Win Source	WS-IRFR5305PBF	74.400	190					0,225	0,208	21h
Worldway Electronics	IRFR5305PBF	18.360	7	Tube		0,208	0,198	0,198	0,198	20h

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-07-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR5305PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel 55 V 0.065 Ohm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET

Infineon

MOSFET, P, -55V, -28A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:-31A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.4°C/W; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Pulse Current Idm:110A; SMD Marking:IRFR5305; Termination Type:SMD; Voltage Vds:55V; Voltage Vds Typ:-55V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

element14 APAC

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFR 5305 PBF
IRFR 5305PBF
IRFR5305 PBF
IRFR5305PBF.
SP001571570

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)31 A

Current Rating-31 A

Drain to Source Breakdown Voltage-55 V

Drain to Source Resistance65 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V

Dual Supply Voltage-55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time63 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.2 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation69 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance65 mΩ

Package Quantity3000

Power Dissipation89 W

Rds On Max65 mΩ

Recovery Time110 ns

Rise Time66 ns

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage-4 V

Turn-Off Delay Time39 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)-55 V

Dimensions

Height2.39 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

Datenblätter und Dokumente

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