Infineon IRFR2405TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.0118 Ohm; Id 56A; D-pak (TO-252AA); Pd 110W
$ 0.675
Production
HerstellerseiteDatenblatt

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRFR2405TRPBF1.8535Cut Tape
Future Electronics
2
IRFR2405TRPBF46.0002KTape & Reel
Rochester Electronics
2
IRFR2405TRPBF2.000
12h
Arrow Electronics
3
IRFR2405TRPBF8.4791
DigiKey
3
IRFR2405PBFCT-ND34.4081Cut Tape

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFR2405TRPBF
InfineonAUIRFR2405
Price @ 1000
$ 0.675
$ 4.1
Stock
1,208,346
62,902
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
30 A
30 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
16 mΩ
16 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
110 W
110 W
Input Capacitance
2.43 nF
2.43 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRFR2405PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0118Ohm;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
Details
InfineonAUIRFR2905Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Details
InfineonIRFR2905ZPBF
IRFR2905ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 59 A, 55 V, 3-Pin DPAK
Details
onsemiFDD13AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 13mΩ
Details
onsemiFDD13AN06A0-F085
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 50A, 13.5mΩ
Details
onsemiFDD24AN06LA0
60V,36A,24MOHMS,TO252,NCH, LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR2405TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0118Ohm;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
RS (Formerly Allied Electronics)
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Avnet
IRFR2405TRPBF,MOSFET, 55V, 56A , 16 MOHM, 70 NC QG, D-PAK<AZ
Jameco
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:56A; On Resistance, Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D-Pak; Power Dissipation, Pd:110W ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
Augswan
Newark
element14
element14 APAC
TME
Future Electronics
iiiC
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFR2405TRPBF.
  • SP001555036