Infineon AUIRF1010Z
$ 1.04
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRF1010Z | 12.418 | 20h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRF1010Z | 0 | 450 | Bulk | 12h | |||||||
| Farnell | AUIRF1010Z | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Microchip USA | AUIRF1010Z | 424 | 300 | Bulk | 14h | |||||||
| Verical | AUIRF1010Z | 3.650 | 240 |
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Price @ 1000
$ 1.04
$ 0.928
Stock
93,076
429,026
Authorized Distributors
3
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
94 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
-
Rds On Max
7.5 mΩ
7.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
Input Capacitance
2.84 nF
2.84 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-11-15
LTD Date2021-05-15
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF1010Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
INFINEON AUIRF1010Z MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
AUTOMOTIVE MOSFET 55V, 94A, 7.5 MOHM, 63 NC QG, TO-220
Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 55V, 94A, TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:94A; Power Dissipation Pd:140W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)94 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time92 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.84 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation140 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time150 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height24.6 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen