STMicroelectronics STP150NF55
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP100NF04
N-channel 40 V, 0.0043 Ohm typ., 120 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP110N55F6
N-channel 55 V, 4.5 mOhm typ., 110 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonAUIRF1010Z
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
InfineonIPP015N04NGXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Through Hole
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP150NF55, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL 55V - 0.005 OHM -120A TO-220 STripFET II MOSFET
Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 190nC@ 10 V 1individualNChannel 55V 6mΩ@ 60A,10V 120A 4.4nF@25V TO-220 Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.15mm
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max6 mΩ
Resistance6 MΩ
Rise Time180 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant