STMicroelectronics STP95N4F3
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP048N04NGXKSA1
79W(Tc) 20V 4V@ 200¦ÌA 41nC@ 10 V 1N 40V 4.8m¦¸@ 70A,10V 3.3nF@25V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
STMicroelectronicsSTP90NF03L
N-Channel 30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTP75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTP120N4F6
N-channel 40 V, 3.8 mOhm, 80 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP95N4F3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
N-channel 40 V, 5.4 mOhm, 80 A, TO-220 STripFET(TM) III Power MOSFET
STP95N4F3 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 40 V, 3-Pin TO-220
80 A 40 V 0.0062 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Mosfet, N Ch, 40V, 80A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP95N4F3
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance6.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max6.2 mΩ
Rise Time50 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant