Diodes Inc. ZXMN4A06GTA
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMN4A06GTA | 5.536 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXMN4A06GCT-ND | 1.365 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN4A06GTA | 22 | 22 | |||||||||
| Verical | ZXMN4A06GTA | 22 | 22 | |||||||||
| TME | ZXMN4A06GTA | 253 | 1 | 12h |
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Verwandte Teile
Diodes Inc.ZXMP4A16GTA
ZXMP4A16G Series 40 V 0.06 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
InfineonIRLL3303TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.031Ohm;ID 4.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-16V
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. ZXMN4A06GTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7A; 0.05ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223
Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Surface Mount
Single N-Channel 40 V 3.9 W 18.2 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223
MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd
N Channel Mosfet, 40V, 7A, Sot-223; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:7A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:40V; Resistencia De Activación Rds(On):50Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:4 |Diodes Inc. ZXMN4A06GTA
MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Dissipation Pd: 3.9W; Transistor Case Style: SOT-223; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (15-Jan-2019); Current Id Max: 7A; Current Temperature: 25°C; Junction Temperature Tj Max: 150°C; Junction Temperature Tj Min: -55°C; No. of Transistors: 1; On State Resistance Max: 50mohm; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max: 3.9W; Pulse Current Idm: 22A; SMD Marking: ZXMN 4A06; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 40V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage Vgs th Min: 1V
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance770 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance75 mΩ
Rise Time4.45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time28.61 ns
Turn-On Delay Time2.55 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen