Infineon IRF8910TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF8910TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 5h | |||||||
| Farnell | IRF8910TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 15h | |||||||
| HQonline | DS0103181 | 315 | 1 | >1w | ||||||||
| Microchip USA | IRF8910TRPBF | 501 | 300 | 6d | ||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF8910TRPBF | 8.000 | 1 | Tape & Reel | 18h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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Lieferkette
Country of OriginIsrael, Mainland China, Philippines, Thailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF8910TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Dual N-Channel 20 V 13.4 mOhm 7.4 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 10A; Transis; DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 10A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):10.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.55V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating10 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance13.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time4.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance960 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.55 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance13.4 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max13.4 mΩ
Resistance13.4 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.55 V
Turn-Off Delay Time9.7 ns
Turn-On Delay Time6.2 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen