Infineon IRF8915TRPBF

Dual N-Channel 20 V 18.3 mOhm 4.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
$ 0.513
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRF8915TRPBF641
Rochester Electronics
2
IRF8915TRPBF31.431
13h
RS (Formerly Allied Electronics)IRF8915TRPBF020Bulk
3h
Farnell
2
IRF8915TRPBF01Cut Tape
13h
HQonlineDS0102703181
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Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet10 SeitenVor 17 Jahren

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13

Verwandte Teile

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onsemiFDS6898A
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onsemiFDS6898AZ
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 14mΩ
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onsemiFDS6576
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -20V, -11A, 14mΩ
Details
VishaySI9926CDY-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF8915TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Dual N-Channel 20 V 18.3 mOhm 4.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 20V, 0.0183ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:8.9A; On Resistance, Rds(on):18.3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 8.9 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 18.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 3.6 / Rise Time ns = 12 / Turn-OFF Delay Time ns = 7.1 / Turn-ON Delay Time ns = 6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2
Distrelec

Bilder

Infineon
RS
Newark
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
International Rectifier
Newark
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 8915TRPBF
  • IRF8915
  • IRF8915TRPBF.
  • SP001554494