Infineon IPB080N06N G

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor...
Obsolete
制造商页面数据表

价格与库存

数据表和文档

下载 Infineon IPB080N06N G 的数据表和制造商文档。

IHS

Datasheet10 页15 年前

CAD 模型

从我们值得信赖的合作伙伴处下载 Infineon IPB080N06N G 符号、封装和 3D STEP 模型。

来源eCADmCAD文件
SnapEDA
封装
3D下载
下载 CAD 模型时，合作伙伴网站将在新标签页中打开
从 Octopart 下载 CAD 模型，即表示您同意我们的条款和条件以及隐私政策。

供应链

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-05-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-02-28
LTD Date2011-08-31

相关零件

InfineonIPB80N06S407ATMA2
60V, N-Ch, 7.1 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
详细信息
InfineonIPB065N06LG
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
详细信息
InfineonIRFS7762TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK / N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
详细信息
onsemiBBS3002-TL-1E
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK / P-Channel 60 V 100A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
详细信息
VishaySUM90N06-5M5P-E3
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
详细信息
onsemiHUF75345S3ST
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,75A I(D),TO-263AB
详细信息

描述

由其分销商提供的 Infineon IPB080N06N G 的描述。

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
DigiKey

制造商别名

Infineon 在全球拥有多个品牌，分销商可将其用作替代名称。Infineon 也可称为以下名称：

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

零件编号别名

该零件可能有以下备用零件编号：

  • IPB080N06NG