onsemi FCP11N60

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 11 A, 380 mΩ, TO-220
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IHS

onsemi

Farnell

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Peças alternativas

Esta peça
Peças alternativas
onsemiFCP11N60
InfineonSPP11N60C3XKSA1
InfineonSPP11N60C3XKSA1
Price @ 1000
$ 1.562
$ 1.246
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Stock
241,390
837,083
837,083
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
11 A
Threshold Voltage
5 V
-
-
Rds On Max
380 mΩ
380 mΩ
380 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
20 V
20 V
Power Dissipation
125 W
125 W
125 W
Input Capacitance
1.49 nF
1.2 nF
1.2 nF

Cadeia de suprimentos

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

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Descrições

Descrições de onsemi FCP11N60 fornecidas pelos seus distribuidores.

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 11 A, 380 mΩ, TO-220
onsemi
N-Channel 600 V 0.38 O 125 W 52 nC Flange Mount SuperFET FRFET Mosfet - TO-220
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail
Verical
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):320mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:11A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Pulse Current Idm:30A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
SuperFET® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s first genera-tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switch-ing performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Con-sequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Fairchild Semiconductor

Imagens

RS
TME
Farnell
Future Electronics
Conrad
Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • FCP11N60.