Vishay IRF840LCPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Descrições
Descrições de Vishay IRF840LCPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 500 V 0.85 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB; Tra; N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):850mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; MSL:-
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -12.30%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Dual Supply Voltage500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation125 W
Rds On Max850 mΩ
Recovery Time740 ns
Resistance850 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade