Infineon IRFB4410PBF

Name: Infineon IRFB4410PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFB4410PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 8 Milliohms; Id 88A; TO-220AB; Pd 200W; Vf 1.3V

$ 0.943

EOL

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRFB4410PBF	3,965	1		3.010	1.700	1.350	1.080	1.030
Rochester Electronics	2	IRFB4410PBF	142					1.080	0.896	0.799	10h
Arrow Electronics	3	IRFB4410PBF	23,530	1		0.853	0.764	0.743	0.670	0.667
DigiKey		IRFB4410PBF-ND	1,615	1	Tube	3.390	3.390	1.502	1.115	0.898
Avnet		IRFB4410PBF	0	3K						0.741	3d

재고 내역

3개월 추세: -12.43%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Infineon IRFB4410PBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet12 페이지19년 전

Datasheet13 페이지12년 전

Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-12.43%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Infineon IRFB4410PBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

InfineonIRFB4410PBF

InfineonAUIRFB4410

Price @ 1000

$ 0.943

$ 0.38

Stock

307,623

153,311

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

75 A

Threshold Voltage

4 V

2 V

Rds On Max

10 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

200 W

Input Capacitance

5.15 nF

공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-10-13

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2008-03-13

LTD Date2008-09-13

설명

유통업체에서 제공한 Infineon IRFB4410PBF에 대한 설명입니다.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 88A;TO-220AB;PD 200W;VF 1.3V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 10 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:96A; On Resistance Rds(On):0.008Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

MOSFET, N, 100V, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:96A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:250W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-78B; Avalanche Single Pulse Energy Eas:220mJ; Capacitance Ciss Typ:5150pF; Current Id Max:88A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:10mohm; Package / Case:TO-220; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Power Dissipation Pd:250W; Power Dissipation Pd:250W; Power Dissipation Ptot Max:250W; Pulse Current Idm:380A; Reverse Recovery Time trr Typ:38ns; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

element14 APAC