Infineon IPD50R399CPATMA1

Name: Infineon IPD50R399CPATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD50R399CPATMA1

Transistor Mosfet N-ch 550V 9A 3-PIN TO-252 T/r

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Avnet		IPD50R399CPATMA1	0	2500						0.439	2d
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Farnell	3	IPD50R399CP	0	1	Cut Tape	1.145*	1.145*	1.145*	1.145*	1.145*	15h

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공급망

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-11-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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설명

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Transistor MOSFET N-CH 550V 9A 3-Pin TO-252 T/R

Avnet Japan

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.

Infineon

MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:550V; On Resistance Rds(on):399mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; Current Id Max:9A; Package / Case:TO-252; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:550V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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