Infineon AUIRFS3206

Name: Infineon AUIRFS3206
Brand: Infineon
SKU: AUIRFS3206

MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain

$ 1.73

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	AUIRFS3206	48					1.930	1.730	1.620	23h
RS (Formerly Allied Electronics)	AUIRFS3206	0	25	Bulk			18.330	18.330	18.330	15h
Farnell	AUIRFS3206	0	1		2.543*	2.108*	2.108*	2.108*	2.108*	23h
Component Stockers USA	AUIRFS3206	45			2.210	2.210	2.210	2.210	2.210	13h
Win Source	WS-435412	20	16				2.917	2.528	2.528	23h

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RS (Formerly Allied Electronics)

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InfineonAUIRFS3206

InfineonIRFS3206TRRPBF

Price @ 1000

$ 1.73

$ 1.13

Stock

48,530

458,633

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

120 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

3 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

300 W

Input Capacitance

6.54 nF

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-08-16

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2021-08-15

LTD Date2022-02-15

설명

유통업체에서 제공한 Infineon AUIRFS3206에 대한 설명입니다.

MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain

Newark

Trans MOSFET N-CH 60V 210A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Verical

Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package

International Rectifier

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Benefits: Advanced Process Technology; Ultra Low On-Resistance; Enhanced dV/dT and dI/dT capability; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified

Infineon

MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C

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