Vishay SI2319DS-T1-E3

Transistor Mosfet P-ch 40V 2.3A 3-PIN SOT-23 T/r
$ 0.428
Obsolete
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI2319DS-T1-E3.

Newark

Datasheet8 pagine5 anni fa
Datasheet9 pagine10 anni fa
Datasheet9 pagine11 anni fa

Farnell

Future Electronics

ODG (Origin Data Global)

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-7.39%

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.428
$ 0.466
Stock
505,067
1,416,277
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-40 V
-40 V
Continuous Drain Current (ID)
2.3 A
2.3 A
Threshold Voltage
-3 V
-3 V
Rds On Max
82 mΩ
82 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
750 mW
750 mW
Input Capacitance
470 pF
470 pF

Supply Chain

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13

Parti correlate

Si2307BDS Series 30 V 2.5 A Surface Mount P-Channel Mosfet - SOT-23-3 (TO-236)
Single N-Channel 30 V 0.07 Ohm 0.75 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 88 MilliOhms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.ZXMN2B01FTA
ZXMN2B01 Series 20 V 0.1 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
Diodes Inc.ZXMN3A14FTA
ZXMN3A14 Series 30 V 0.065 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Diodes Inc.DMP3160L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Descrizioni

Descrizioni di Vishay SI2319DS-T1-E3 fornite dai suoi distributori.

Transistor MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Single P-Channel 40 V 82 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 40V, 0.082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET,P CH,40V,2.3A,SOT23-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Power Dissipation Pd:750mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-2.3A; Power Dissipation Pd:750mW; Voltage Vgs Max:-20V
P Channel Mosfet, -40V, 3A, To-236, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: No |Vishay SI2319DS-T1-E3.

Alias del produttore

Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SI2319DS-T1-E3.
  • SI2319DS-T1E3
  • SI2319DST1E3