Vishay SI2319DS-T1-GE3
$ 0.466
Obsolete
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SI2319DS-T1-GE3 | 1760 | 125 | |||||||||
| TME | SI2319DS-T1-GE3 | 1760 | 1 | 10h | ||||||||
| TTI | SI2319DS-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 22h | |||||||
| Newark | SI2319DS-T1-GE3 | 0 | 3K | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SI2319DS-T1-GE3 | 0 | 3K | 22h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.25%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Questo componente
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Price @ 1000
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$ 0.428
Stock
1,416,277
505,067
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-40 V
-40 V
Continuous Drain Current (ID)
2.3 A
2.3 A
Threshold Voltage
-3 V
-3 V
Rds On Max
82 mΩ
82 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
750 mW
750 mW
Input Capacitance
470 pF
470 pF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI2319DS-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.6A; 0.046ohm; 2.5W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
P-Channel 40 V 82 mO 17 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
750mW(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1P 40V 82m¦¸@ 3A,10V 2.3A 470pF@20V SOT-23-3,TO-236 1.12mm
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 40V, 0.082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.3A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Power Dissipation Pd:750mW
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Resistance82 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance470 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation750 mW
Rds On Max82 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità