STMicroelectronics STD3NK90ZT4
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Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STD3NK90ZT4 | 37.500 | 2500 | 9h | ||||||||
| Newark | STD3NK90ZT4 | 1091 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STD3NK90ZT4 | 60.000 | 2500 | |||||||||
| Verical | STD3NK90ZT4 | 60.000 | 2500 | |||||||||
| Future Electronics | STD3NK90ZT4 | 20.000 | 2500 | Tape & Reel |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.40%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD3NK90ZT4 fornite dai suoi distributori.
N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in DPAK package
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 1.5 A, 4.1 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STD3NK90ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 900 V, 3-PIN DPAK
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK / Trans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-CHANNEL 900V-4.1 OHM-3A DPAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 900V, 3A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.5A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 4.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 90W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 3A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 900V; Voltage Vgs Max: 30V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Mosfet, N Channel, 900V, 3A, Dpak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1.5A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:900V; Resistencia De Activación Rds(On):4.1Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STD3NK90ZT4
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -8.40%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance4.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance590 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation90 W
Rds On Max4.8 Ω
Resistance4.8 Ω
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant