Infineon IRF6621TRPBF

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1206 1800pF 50volts C0G 5%
$ 0.464
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRF6621TRPBF1
2h
RS (Formerly Allied Electronics)IRF6621TRPBF04800Bulk
14h
Component Stockers USAIRF6621TRPBF1
>1wk
Win Source
2
WS-IRF6621TRPBF26.000175
3h
Worldway Electronics
2
IRF6621TRPBF10.9157Tape & Reel
2h

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet10 pagine20 anni fa
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Datasheet0 pagine0 anni fa

Newark

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
InfineonIRF6621TRPBF
InfineonIRF6621TRPBF
Price @ 1000
$ 0.464
$ 0.464
Stock
251,506
251,506
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
12 A
12 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
9.1 mΩ
9.1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.2 W
2.2 W
Input Capacitance
1.46 nF
1.46 nF

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-08-19
LTD Date2010-02-19

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Trans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Dettagli
NXP SemiconductorsPH9030AL,115
Compliant Surface Mount 9 ns Lead Free Tape & Reel (TR) 28 ns 8 mΩ 11 MΩ
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF6621TRPBF fornite dai suoi distributori.

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1206 1800pF 50volts C0G 5%
Utmel Electronic
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
Avnet
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 55 amperes., MG-WDSON-4, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
The IRF6621 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance
Win Source
N CH MOSFET, 30V, 9.6A DIRECTFET SQ; Tra; N CH MOSFET, 30V, 9.6A DIRECTFET SQ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V
element14 APAC

Immagini

element14
Augswan
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
International Rectifier

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRF6621
  • IRF6621TRPBF.
  • SP001524020