Infineon IPD090N03LGBTMA1
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPD090N03LGBTMA1.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Infineon IPD090N03LGBTMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.368
Stock
145,682
1,538,976
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
40 A
40 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
42 W
42 W
Input Capacitance
1.6 nF
1.2 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-03-11
LTD Date2020-03-11
Parti correlate
InfineonIPD50N03S2L06ATMA1
30V, N-Ch, 6.4 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
InfineonIPD50N03S207ATMA1
30V, N-Ch, 7.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
onsemiNTD70N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 32A 1.87W 1.3ns
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPD090N03LGBTMA1 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time2.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation42 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height2.56 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPD090N03LGBTMA1.