Infineon IPD50N03S207ATMA1
$ 0.779
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +8.36%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-07-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-01-31
LTD Date2025-07-31
Parti correlate
InfineonIRLR8729TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRFR3707PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.7 Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 87W
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPD50N03S207ATMA1 fornite dai suoi distributori.
30V, N-Ch, 7.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
30V 50A 7.3m惟@10V,50A 136W 4V@85uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +8.36%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.3 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation136 W
Rds On Max7.3 mΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height2.5 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità