Infineon IPB65R190CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
$ 1.76
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPB65R190CFDAATMA1.

IHS

Datasheet16 pagine13 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+0.00%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IPB65R190CFDAATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
3DScarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 1.76
$ 1.56
Stock
855,219
372,436
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
TO-263-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
17.5 A
17.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
190 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
-
Power Dissipation
151 W
-
Input Capacitance
1.85 nF
-

Supply Chain

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-09-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Parti correlate

STMicroelectronicsSTB20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTB28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPB65R190CFDAATMA1 fornite dai suoi distributori.

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Mosfet Single, 17.5A, 650V, 151W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB65R190CFDAATMA1
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPB65R190CFDA
  • SP000928264