Infineon AUIRF7342QTR
$ 1.603
Obsolete
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$ 0.94
Stock
343,637
46,365
Authorized Distributors
2
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
-55 V
-55 V
Continuous Drain Current (ID)
3.4 A
3.4 A
Threshold Voltage
-1 V
-
Rds On Max
105 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
690 pF
690 pF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-02-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31
Parti correlate
InfineonIRF7342TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID -3.4A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
Descrizioni
Descrizioni di Infineon AUIRF7342QTR fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC / Mosfet Array 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Automotive Q101 -55V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Dual P-Channel 55 V 0.17 Ohm 38 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC Tube
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 55V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, PP CH, 55V, 3.4A, SO8; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.4A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Benefits: Advanced Planar Technology; Low On-Resistance; Logic Level Gate Drive; Dual P-Channel MOSFET; Dynamic dV/dT Rating; 150C Operating Temperature; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified | Target Applications: Port Injection; Solenoid Injection
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Element ConfigurationDual
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance690 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance105 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max105 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità