onsemi FDS9958
$ 0.608
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -24.10%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDS9958.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-07-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN6070SSD-13
DiodesZetex NChannel EnhancedMOSTube, Vds=60 V, 4.1 A, SOICencapsulation, surface mount, 8Pin
InfineonIRF7342TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID -3.4A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDS9958 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET -60V, -2.9A, 105mΩ
MOSFET, DUAL P-CH, -60V, -2.9A, SOIC-8; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -2.9A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Volta
These P-channel logic level specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench®process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.These devices are well suited for portable electronics applications: load switching and power management, battery charging and protection circuits.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -24.10%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.02 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max105 mΩ
Resistance105 MΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.6 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Width3.9 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità