Infineon IRF7342TRPBF
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2016-05-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF7342TRPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID -3.4A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
Dual P-Channel 55 V 0.17 Ohm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET 2xP-Ch. 3,4A/55V SO8 IRF 7342 TRPBF
Trans MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 55V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-3.4A; On Resistance, Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating-3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Element ConfigurationDual
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance690 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1 V
Number of Elements2
On-State Resistance105 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max105 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-55 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità