Diodes Inc. FZT851TA
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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$ 0.489
Stock
1,830,086
80,376
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
220 V
220 V
Max Collector Current
6 A
6 A
Transition Frequency
130 MHz
130 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
375 mV
375 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
3 W
3 W
Parti correlate
Diodes Inc.ZXTN2010GTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Surface Mount
Diodes Inc.ZX5T851GTA
ZX5T851G Series NPN 6 A 60V SMT Medium Power Low Saturation Transistor - SOT-223
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. FZT851TA fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
60V 3W 100@2A,1V 6A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
FZT851 Series NPN 6 A 60 V SMT Silicon High Performance Transistor - SOT-223
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
General Purpose Transistors NPN Ic=6A Vceo=60V hfe=100~300 P=3W SOT223
TRANSISTOR, NPN, REEL 1K; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:60V; Current, Ic Continuous a Max:6A; Voltage, Vce Sat Max:50mV; Power Dissipation:3W; Hfe, Min:100; ft, Typ:130MHz; Case Style:SOT-223; ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN, REEL 1K; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 130MHz; Power Dissipation Pd: 3W; DC Collector Current: 6A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transistor Case Sty
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)150 V
Collector Emitter Breakdown Voltage220 V
Collector Emitter Saturation Voltage375 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current6 A
Current Rating6 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current6 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità